Hai Li,
Yiran Chen
CRC Press
1e druk, 2011
9781439807453
Nonvolatile Memory Design
Magnetic, Resistive, and Phase Change
Specificaties
Gebonden, 208 blz.
|
Engels
CRC Press |
1e druk, 2011
ISBN13: 9781439807453
Rubricering
Juridisch
:
Levertijd ongeveer 11 werkdagen
Gratis verzonden
Samenvatting
The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.
Specificaties
ISBN13:9781439807453
Taal:Engels
Bindwijze:Gebonden
Aantal pagina's:208
Uitgever:CRC Press
Druk:1
Hoofdrubriek:Wetenschap en techniek, Computer en informatica
Net verschenen
Rubrieken
- aanbestedingsrecht
- aansprakelijkheids- en verzekeringsrecht
- accountancy
- algemeen juridisch
- arbeidsrecht
- bank- en effectenrecht
- bestuursrecht
- bouwrecht
- burgerlijk recht en procesrecht
- europees-internationaal recht
- fiscaal recht
- gezondheidsrecht
- insolventierecht
- intellectuele eigendom en ict-recht
- management
- mens en maatschappij
- milieu- en omgevingsrecht
- notarieel recht
- ondernemingsrecht
- pensioenrecht
- personen- en familierecht
- sociale zekerheidsrecht
- staatsrecht
- strafrecht en criminologie
- vastgoed- en huurrecht
- vreemdelingenrecht