Steven C. Binari,
Albert A. Burk,
Michael R. Melloch
Cambridge University Press
e druk, 1999
9781558994799
Wide-Bandgap Semiconductors for High-Power, High-Frequency, and High-Temperature Applications – 1999: Volume 572
Specificaties
Gebonden, 559 blz.
|
Engels
Cambridge University Press |
e druk, 1999
ISBN13: 9781558994799
Rubricering
Juridisch
:
Onderdeel van serie
MRS Proceedings
Levertijd ongeveer 9 werkdagen
Gratis verzonden
Samenvatting
There is an ever-present need for electronic devices with improved power, frequency and temperature performance. To that end, the introduction of the SiC substrate and the demonstration of bright III-N light-emitting diodes have been catalysts for increased research and development of wide-bandgap semiconductor materials and devices during the nineties. This book from the Materials Research Society focuses on high-power, high-frequency and high-temperature applications of these wide-bandgap semiconductors. Topics include: SiC devices and processing; SiC epitaxy and characterization; SiC bulk growth and characterization; GaN growth and characterization; and GaN devices and processing.
Specificaties
ISBN13:9781558994799
Taal:Engels
Bindwijze:Gebonden
Aantal pagina's:559
Uitgever:Cambridge University Press
Serie:MRS Proceedings
Net verschenen
Rubrieken
- aanbestedingsrecht
- aansprakelijkheids- en verzekeringsrecht
- accountancy
- algemeen juridisch
- arbeidsrecht
- bank- en effectenrecht
- bestuursrecht
- bouwrecht
- burgerlijk recht en procesrecht
- europees-internationaal recht
- fiscaal recht
- gezondheidsrecht
- insolventierecht
- intellectuele eigendom en ict-recht
- management
- mens en maatschappij
- milieu- en omgevingsrecht
- notarieel recht
- ondernemingsrecht
- pensioenrecht
- personen- en familierecht
- sociale zekerheidsrecht
- staatsrecht
- strafrecht en criminologie
- vastgoed- en huurrecht
- vreemdelingenrecht