Koichiro Ishibashi,
Kenichi Osada
Springer Berlin Heidelberg
2011e druk, 2011
9783642195679
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Specificaties
Gebonden, 144 blz.
|
Engels
Springer Berlin Heidelberg |
2011e druk, 2011
ISBN13: 9783642195679
Rubricering
Juridisch
:
Onderdeel van serie
Springer Series in Advanced Microelectronics
Levertijd ongeveer 9 werkdagen
Gratis verzonden
Samenvatting
Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.
Specificaties
ISBN13:9783642195679
Taal:Engels
Bindwijze:gebonden
Aantal pagina's:144
Uitgever:Springer Berlin Heidelberg
Druk:2011
Inhoudsopgave
<P>Preface.- Introduction.- Fundamentals of SRAM Memory Cell.- Electrical Stability.- Sensitivity Analysis.- Memory Cell Design Technique for Low Power SOC.- Array Design Techniques.- Dummy Cell Design.- Reliable Memory Cell Design.- Future Technologies</P>
Net verschenen
Rubrieken
- aanbestedingsrecht
- aansprakelijkheids- en verzekeringsrecht
- accountancy
- algemeen juridisch
- arbeidsrecht
- bank- en effectenrecht
- bestuursrecht
- bouwrecht
- burgerlijk recht en procesrecht
- europees-internationaal recht
- fiscaal recht
- gezondheidsrecht
- insolventierecht
- intellectuele eigendom en ict-recht
- management
- mens en maatschappij
- milieu- en omgevingsrecht
- notarieel recht
- ondernemingsrecht
- pensioenrecht
- personen- en familierecht
- sociale zekerheidsrecht
- staatsrecht
- strafrecht en criminologie
- vastgoed- en huurrecht
- vreemdelingenrecht