The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Samenvatting
This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600℃ and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10−7Ω•cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.
Specificaties
Inhoudsopgave
Net verschenen
Rubrieken
- aanbestedingsrecht
- aansprakelijkheids- en verzekeringsrecht
- accountancy
- algemeen juridisch
- arbeidsrecht
- bank- en effectenrecht
- bestuursrecht
- bouwrecht
- burgerlijk recht en procesrecht
- europees-internationaal recht
- fiscaal recht
- gezondheidsrecht
- insolventierecht
- intellectuele eigendom en ict-recht
- management
- mens en maatschappij
- milieu- en omgevingsrecht
- notarieel recht
- ondernemingsrecht
- pensioenrecht
- personen- en familierecht
- sociale zekerheidsrecht
- staatsrecht
- strafrecht en criminologie
- vastgoed- en huurrecht
- vreemdelingenrecht