Mosfet Modeling For Vlsi Simulation: Theory And Practice
Samenvatting
Deals with the MOS Field Effect Transistor models that are derived from basic semiconductor theory. This book discusses how to measure device model parameters required for circuit simulations. It emphasizes the assumptions used to arrive at the models, so that the accuracy of the models in describing the device characteristics are understood.
Specificaties
Net verschenen
Rubrieken
- aanbestedingsrecht
- aansprakelijkheids- en verzekeringsrecht
- accountancy
- algemeen juridisch
- arbeidsrecht
- bank- en effectenrecht
- bestuursrecht
- bouwrecht
- burgerlijk recht en procesrecht
- europees-internationaal recht
- fiscaal recht
- gezondheidsrecht
- insolventierecht
- intellectuele eigendom en ict-recht
- management
- mens en maatschappij
- milieu- en omgevingsrecht
- notarieel recht
- ondernemingsrecht
- pensioenrecht
- personen- en familierecht
- sociale zekerheidsrecht
- staatsrecht
- strafrecht en criminologie
- vastgoed- en huurrecht
- vreemdelingenrecht

