Tatsuya (Hiroshima Univ, Japan) Ezaki,
Hans Jurgen (Hiroshima Univ, Japan) Mattausch,
Mitiko (Hiroshima Univ, Japan) Miura-mattausch
World Scientific Publishing Co Pte Ltd
e druk, 2008
9789812568649
Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-potential Model Hisim
Specificaties
Gebonden, 380 blz.
|
EN
World Scientific Publishing Co Pte Ltd |
e druk, 2008
ISBN13: 9789812568649
Rubricering
Juridisch
:
Onderdeel van serie
International Series On Advances In Solid State Electronics And Technology
Levertijd ongeveer 16 werkdagen
Gratis verzonden
Samenvatting
Provides a description of the compact MOS transistor models for circuit simulation. This book considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
Specificaties
ISBN13:9789812568649
Taal:EN
Bindwijze:Gebonden
Aantal pagina's:380
Uitgever:World Scientific Publishing Co Pte Ltd
Net verschenen
Rubrieken
- aanbestedingsrecht
- aansprakelijkheids- en verzekeringsrecht
- accountancy
- algemeen juridisch
- arbeidsrecht
- bank- en effectenrecht
- bestuursrecht
- bouwrecht
- burgerlijk recht en procesrecht
- europees-internationaal recht
- fiscaal recht
- gezondheidsrecht
- insolventierecht
- intellectuele eigendom en ict-recht
- management
- mens en maatschappij
- milieu- en omgevingsrecht
- notarieel recht
- ondernemingsrecht
- pensioenrecht
- personen- en familierecht
- sociale zekerheidsrecht
- staatsrecht
- strafrecht en criminologie
- vastgoed- en huurrecht
- vreemdelingenrecht